现货速发阿托斯ATOS压力传感器

现货速发阿托斯ATOS压力传感器阿托斯ATOS压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。静电容量型压力传感器，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 （E8Y的动作原理便是静电容量方式，其他机种采用半导体方式）。

以下是阿托斯ATOS压力传感器其工作原理的详细解析：

一、核心原理：压阻效应

当压力作用于传感器膜片时，膜片内部的电阻值发生变化。这种变化源于单晶硅材料在受力时电阻率的变化，而非单纯几何形变，因此灵敏度比金属应变计高50-100倍。

二、信号转换流程

压力感知

外界压力使硅膜片发生形变。膜片设计为周边固支的圆形，直径与厚度比约为20-60，确保对压力变化的敏感响应。

电阻变化

膜片上的扩散电阻（通过集成电路工艺形成）因形变导致电阻值变化。具体而言，压力引起硅晶格变形，改变载流子迁移率，从而导致电阻率变化。

电桥输出

电阻变化打破惠斯通电桥平衡，输出与压力成比例的电压信号。例如，在4-20mA电流输出模式下，信号范围与压力量程（如0-400bar）严格对应。

信号处理

内置放大电路对微弱信号进行放大，并通过温漂补偿功能确保长期稳定性。补偿范围通常覆盖-20℃至100℃，消除温度对测量精度的影响。

阿托斯ATOS压力传感器部分型号如下：

E-ATR-6/400/I

E-BM-AC-011F

E-BM-AC-011F/I

E-BM-AC-01F/RR

E-BM-AC-01F 11/2,E-BM-AC-01F 11/3

E-BM-AC-01F/RR 11/A1

E-BM-AC-05F 11/3

E-BM-AC-05F 11/4

E-BM-AC-05F/RR 11/3

E-ME-AC-01F 20

E-ME-AC-01F 20/1

E-ME-AC-01F 20/2

E-ME-AC-01F 20/3

E-ME-AC-01F 20/4

E-ME-AC-01F 20/6

E-ME-AC-01F 20/A1

E-ME-AC-01F 20/A2

E-ME-AC-01F 20/A4

E-ME-AC-01F/4R-4 20

E-ME-AC-01F/4R-4 20/2

E-ME-AC-01F/4R-4 20/3

现货速发阿托斯ATOS压力传感器技术特点支撑

高精度与稳定性

压阻效应的高灵敏度（可达0.1%FS重复性精度）结合温漂补偿，使传感器在恶劣工况下仍能保持性能。例如，在液压系统中，压力波动控制精度可达±0.3bar。

抗过载能力

膜片设计（如直径与厚度比20-60）与材料选择（如N型硅）提升了对压力峰值的抵抗力，过载能力可达额定压力的150%。

输出兼容性

提供4-20mA电流或0-10V电压信号，适配多数工业控制系统。电流信号抗干扰能力强，适合长距离传输；电压信号分辨率高，适用于精密控制。

四、应用实例验证

液压系统

在注塑机、压铸机等设备中，传感器实时监测压力并反馈至闭环控制系统，使压力波动从±2.5bar降至±0.3bar，能耗降低18%。

新能源汽车

在电池包压力管理系统中，传感器检测电解液泄漏导致的压力异常，其0.1%FS精度满足功能安全ASIL D等级要求，热失控预警时间提前37秒。