ATOS压力传感器天添价格好

ATOS压力传感器天添价格好ATOS压力传感器是使用较为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量重，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、可靠性高。ATOS压力传感器的是把带隔离的硅压阻式压力敏感元件封装于不锈钢壳体内制作而成。

ATOS压力传感器性能指标：

测量介质：液体或气体（对不锈钢壳体无腐蚀）

量程：0-10MPa

精度等级：0.1%FS、0.5%FS（可选）

稳定性能：±0.05%FS/年；±0.1%FS/年

输出信号：RS485、4~20mA（可选）

过载能力：150%FS

零点温度系数：±0.01%FS/℃

满度温度系数：±0.02%FS/℃

防护等级：IP68

环境温度：-10℃～80℃

存储温度：-40℃～85℃

供电电源：9V～36V DC；

结构材料：外壳：不锈钢1Cr18Ni9Ti

密封圈：氟橡胶

膜片：不锈钢316L

电缆：φ7.2mm聚氨酯专用电缆ATOS压力传感器天添价格好图片如下：

ATOS E-ATR-8压力传感器的工作原理基于压阻效应，通过半导体材料的电阻率变化实现压力到电信号的转换。以下是其工作原理的详细解析：

一、核心原理：压阻效应

当压力作用于传感器膜片时，膜片内部的电阻值发生变化。这种变化源于单晶硅材料在受力时电阻率的变化，而非单纯几何形变，因此灵敏度比金属应变计高50-100倍。

二、信号转换流程

压力感知

外界压力使硅膜片发生形变。膜片设计为周边固支的圆形，直径与厚度比约为20-60，确保对压力变化的敏感响应。

电阻变化

膜片上的扩散电阻（通过集成电路工艺形成）因形变导致电阻值变化。具体而言，压力引起硅晶格变形，改变载流子迁移率，从而导致电阻率变化。

电桥输出

电阻变化打破惠斯通电桥平衡，输出与压力成比例的电压信号。例如，在4-20mA电流输出模式下，信号范围与压力量程（如0-400bar）严格对应。

信号处理

内置放大电路对微弱信号进行放大，并通过温漂补偿功能确保长期稳定性。补偿范围通常覆盖-20℃至100℃，消除温度对测量精度的影响。

三、技术特点支撑

高精度与稳定性

压阻效应的高灵敏度（可达0.1%FS重复性精度）结合温漂补偿，使传感器在恶劣工况下仍能保持性能。例如，在液压系统中，压力波动控制精度可达±0.3bar。

抗过载能力

膜片设计（如直径与厚度比20-60）与材料选择（如N型硅）提升了对压力峰值的抵抗力，过载能力可达额定压力的150%。

输出兼容性

提供4-20mA电流或0-10V电压信号，适配多数工业控制系统。电流信号抗干扰能力强，适合长距离传输；电压信号分辨率高，适用于精密控制。

四、应用实例验证

液压系统

在注塑机、压铸机等设备中，传感器实时监测压力并反馈至闭环控制系统，使压力波动从±2.5bar降至±0.3bar，能耗降低18%。

新能源汽车

在电池包压力管理系统中，传感器检测电解液泄漏导致的压力异常，其0.1%FS精度满足功能安全ASIL D等级要求，热失控预警时间提前37秒。